Jenis-jenis Goresan Dalam Proses Pengilangan Cip

Jenis-jenisEgatal-gatal dalamCpinggulMpengilanganPproses

Artikel ini memperkenalkan secara ringkas dua kaedah etsa dalam proses pembuatan cip, etsa (Etch) merupakan langkah yang agak penting dalam proses pembuatan cip.

Etsa terutamanya dibahagikan kepada etsa kering dan etsa basah.

①Gresan kering

Plasma digunakan untuk mengeluarkan bahan yang tidak diingini.

②Gresan basah

Cecair menghakis digunakan untuk mengeluarkan bahan yang tidak diingini.

1 Goresan kering

Kaedah goresan kering:

①Sputtering dan pengilangan rasuk ion

②Gresan Plasma

③Etsa plasma tekanan tinggi

④Gresan plasma berketumpatan tinggi (HDP).

⑤Etsa Ion Reaktif (RIE)

Seperti dengan etsa kimia, ia sangat selektif, hanya mengetsa bahan dengan komposisi yang dikehendaki; Ia sangat anisotropik dan terukir dalam satu arah bermula dari pembukaan topeng. Mekanisme yang mencapai ini adalah berdasarkan penggunaan zarah tenaga tinggi untuk mengaktifkan tindak balas bahan kimia dengan permukaan. Seperti yang ditunjukkan dalam rajah, ion dijana dalam plasma dan memecut ke arah permukaan dan bukaan topeng. Plasma juga menghasilkan bahan neutral yang sangat reaktif yang tidak dipercepatkan oleh medan elektrik dan oleh itu mencapai permukaan tanpa arah yang disukai. Apabila kedua-dua ion dan neutral hadir, iaitu di bahagian mendatar permukaan (cth, di bahagian bawah lubang terukir), tindak balas yang sangat selektif diaktifkan dan bahan sasaran dikeluarkan.

Kami mempunyai pelapik etch seperti di bawah:

0040-79913 Pelapik Katod, Port Pemeriksaan W/bocor, 300mm

0040-79912 Liner Chamber Wleak Check Port, 300mm Emax

0040-34866 Cincin Mag Katod Pelapik

2 Goresan basah

Goresan basah mempunyai pelbagai aplikasi dalam proses semikonduktor: penggilap, pembersihan, kakisan. Goresan basah ialah proses kimia yang melibatkan penyingkiran bahan terpilih daripada wafer menggunakan etsa cecair. Etchans ini biasanya terdiri daripada pelbagai bahan kimia, seperti asid, bes, atau pelarut, yang bertindak balas dengan bahan untuk membentuk produk larut yang boleh dibasuh dengan mudah. Proses etsa didorong oleh tindak balas kimia pada antara muka bahan-etchant, dan kadar etsa ditentukan oleh kinetik tindak balas dan kepekatan spesies aktif dalam larutan.

Kelebihannya ialah: selektiviti yang baik, kebolehulangan yang baik, kecekapan pengeluaran yang tinggi, peralatan mudah dan kos rendah

Kelemahannya ialah: ia tidak boleh digunakan untuk saiz ciri yang kecil; Sebilangan besar sisa kimia akan dihasilkan.